複合型半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-158309
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038080
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】自己消弧型半導体スイッチ素子にツェナーダイオードを内蔵させることにより、部品点数が低減し、小型可能にして高信頼性の複合型半導体装置を得る。【構成】 Pエミッタ層11,Nベース層12,Pゲート層13,N+エミッタ層14からなる自己消弧型半導体スイッチ素子であるSIサイリスタ10A(又はゲートターンオフサイリスタ)にP型半導体層31とN+型半導体層32からなるツェナーダイオード30を内蔵させる。

請求項（抜粋）：

所定極性の第1の半導体層(12)を共通のベース領域とし、該第1の半導体層の一方の面に該第1の半導体層とは異極性の第2の半導体層(11)を形成してアノード層となし、前記第1の半導体層の他方の表面に該第1の半導体層とは異極性の第3の半導体層(13)を設けてゲート層となし、この第3の半導体層とは隣接離間して前記第1の半導体層の表面部に該第1の半導体層と同極性の第4の半導体層(14)を形成してカソード層となし、前記第3の半導体層とは高抵抗半導体層で分離された第5の半導体層(31)を前記第3の半導体層に近接させて形成し、前記第4の半導体層とは別の同極性の第6の半導体層(32)を形成したことを特徴とする複合型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/74 , H01L 21/06 , H01L 21/822 , H01L 29/744

FI (4件)：

H01L 29/74 M , H01L 29/74 C , H01L 29/74 G , H01L 27/06 T

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