特許

J-GLOBAL ID：200903033188449035

多層レジスト膜の形成方法

発明者： 平岡 悟
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-065251
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267159
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 フォトレジスト膜、バリアコート膜およびCEL膜の3層構造のレジスト膜を形成するに当たり、バリアコート膜を均一に塗布することによってフォトレジスト剤とCEL剤との混合を防止すること。【構成】 下地材料1の上にフッ素系溶剤を含む超高解像度用のフォトレジスト膜2を塗布した後、ポリビニルアルコールより成るバリアコート膜3を塗布し、次にソフトベイク処理を施した後にCEL膜4を塗布する。

請求項（抜粋）：

少なくとも下層レジスト膜、この下層レジスト膜の上に形成したバリヤコート膜およびこのバリアコート膜の上に形成したコントラスト増強用のCEL膜を有する少なくとも3層構造のレジスト膜を形成するに当たり、前記下層レジスト膜を塗布し、続いて前記バリヤコート膜を塗布した後、ソフトベイク処理を施し、その後前記CEL膜を塗布することを特徴とする多層レジスト膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 512 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 G