特許

J-GLOBAL ID：200903033189580496

レジストパターン形成方法

発明者： 森 重恭 ,  谷 仁
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-291370
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100600
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 スループットを向上し、精度よく微細なレジストパターンを形成する。【解決手段】 基板1にレジスト2を塗布し、更にブリーチング効果のある物質で感光層3を形成する。マスク4を介して感光層3を露光して透明な感光領域6を形成する。全面露光光7によって全面露光を行い、感光領域6から滲み出した近接場光8の散乱光によってレジスト2を感光させる。こうして、マスク4を用いた露光で得られる感光領域6の半分の解像度のスペースパターンを有するレジストパターン10を得る。その際に、マスク4を用いた露光で形成された透明な感光領域6を有する感光層3をマスクパターンとして全面露光を行なうのでスループットを大幅に向上できる。また、アライメントの回数は1回のみでありアライメント精度,パターンのつなぎ合わせ精度および露光精度の悪化を解消できる。

請求項（抜粋）：

基板表面にレジスト層を形成する工程と、さらに上記レジスト層の上に感光層を形成する工程と、マスクを介して上記感光層を露光して、上記感光層における感光部分を透明にする工程と、上記マスクを介した露光が行われた感光層をマスクパターンとして全面露光する工程と、上記レジスト層を現像する工程を備えたことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/095 501 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 512

FI (8件)：

G03F 7/095 501 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 512 ,  H01L 21/30 502 D ,  H01L 21/30 575 ,  H01L 21/30 573

Fターム (21件)：

2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA02 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA14 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096EA04 ,  2H096EA05 ,  2H096GA00 ,  2H096KA02 ,  5F046BA10 ,  5F046NA01 ,  5F046NA19