特許

J-GLOBAL ID：200903033191331940

半導体基板の製造方法及び該方法に使用する製造装置

発明者： 藤田 和久 ,  浅井 孝祐 ,  石原 宏 ,  西村 孝之 ,  片浜 久
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-050970
公開番号（公開出願番号）：特開平5-032487
出願日： 1991年03月15日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：

【要約】単結晶基板上に半導体薄膜を通常の成長温度で成長させ、この後200°C以上の温度条件下、1Gdyn/cm2 以上の静水圧を印加してアニール処理を施し、続いて温度に対して圧力を制御しながら大気圧、常温まで降圧、降温させる半導体基板の製造方法。半導体薄膜の結晶性低下の大きな原因の一つであった熱不整の影響を受けずに常温まで降温させることができ、単結晶基板上に結晶欠陥の少ない半導体薄膜のエピタキシャル成長膜を成長させることができる。従って、光あるいは高速デバイス用等の種々のデバイスに適用される、優れた半導体基板を製造することが可能となる。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる半導体基板の製造方法において、前記半導体薄膜を通常の成長温度で成長させ、この後200°C以上の温度条件下、1Gdyn/cm2 以上の静水圧を印加してアニール処理を施し、続いて温度に対して圧力を制御しながら大気圧、常温まで降圧、降温させることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 25/16 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205