特許

J-GLOBAL ID：200903033196591444

統合されたオフセット制御を有するホール効果素子、およびゼロ・オフセットを低減するようにホール効果素子を動作する方法

発明者： プレイジェンズ,マーク・アール ,  マトガー,ウォルター・ティー ,  ハジ-シェイク,マイケル・ジェイ
出願人/特許権者： ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-571905
公開番号（公開出願番号）：特表2003-532279
出願日： 2001年04月04日
公開日（公表日）： 2003年10月28日
要約：

【要約】ホール効果素子は、分離層と、分離層上に配置された第1の電気導電型の活性層とを含み、活性層は表面を有する。第1組の接点は、第1の軸に沿って表面と接触して配置され、第2組の接点は、第1の軸を横切る第2の軸に沿って表面と接触して配置される。絶縁層が、表面上に配置される。金属制御フィールド・プレートが、絶縁層上に配置され、かつ活性層の表面で電荷キャリアの蓄積を制御して活性層の抵抗値を変えるために、電圧源に結合可能である。また、ホール効果素子におけるゼロ・オフセットを低減する方法が提供される。方法は、分離層を提供するステップと、分離層上に、表面を有する第1の電気導電型の活性層を配置するステップと、第1の軸に沿って表面上に第1組の接点を配置するステップと、第1の軸を横切る第2の軸に沿って表面上に第2組の接点を配置するステップと、表面上に絶縁層を配置するステップとを含む。電圧が、活性層の抵抗値を変化させるために、表面での電荷キャリアの蓄積を制御するように、絶縁層を横切って印加される。

請求項（抜粋）：

分離層と、 前記分離層上に配置され、表面を有する第1の電気導電型の活性層と、 第1の軸に沿って前記表面と接触して配置される第1組の接点と、 前記第1の軸を横切る第2の軸に沿って前記表面と接触して配置される第2組の接点と、 前記表面上に配置された絶縁層と、 前記絶縁層上に配置され、かつ前記活性層の前記表面で電荷キャリアの蓄積を制御して前記活性層の抵抗値を変えるよう電圧源に結合可能な金属制御フィールド・プレートと、を備えるホール効果素子。

IPC (2件)：

H01L 43/06 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L 43/06 S ,  H01L 43/06 D ,  H01L 43/08 A