特許

J-GLOBAL ID：200903033209452686

誘電体分離基板及びその製造方法

発明者： 福田 潔 ,  古川 和由 ,  田中 一宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340865
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175325
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】この発明にあっては、接着技術を応用し、絶縁膜を介して接着された基板より得られる誘電体分離基板の反りの発生を減少させるために、該基板の裏面にも多結晶シリコンを堆積して応力のつり合いをとることを特徴とする。【構成】この発明による誘電体分離基板は、酸化膜15の表面には単結晶シリコンである活性層16が、裏面には台基板17がそれぞれ形成されている。そして、上記台基板17の裏面には、多結晶シリコン層18が堆積された構成となっている。

請求項（抜粋）：

所定の厚さを有する第1の半導体と、この第1の半導体よりも厚い第2の半導体が絶縁膜を介して一体的に構成される誘電体分離基板に於いて、上記第2の半導体の表面上に多結晶シリコンを設けたことを特徴とする誘電体分離基板。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-302740
  
• 特開昭54-019681
  
• 特開昭58-078438
  
• 特開平2-183553