半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057851
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255844
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】半導体ウエハ面内で注入角度偏差を持つイオン注入装置でROMデータ書込みを行う際の注入オフセットによる不良を低減させる。【構成】比較的高いエネルギーを用いてマスクROMのデータ書込みを行う際、イオン注入装置のビーム偏向方式により半導体ウエハ外周部ではイオンビームが垂直より傾いた角度で照射される。この注入角偏差による注入オフセットを防止するために、注入角偏差を補正するようにデータ書込み時のフォトレジストパターンを開口する。

請求項（抜粋）：

多数の半導体装置がマトリックス状に配列されたがいに同一性能の半導体装置に製造されていく半導体ウエハ上にフォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとしてそれぞれの前記半導体装置における同じ領域にイオン注入装置により不純物をイオン注入する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記フォトレジストパターンに偏差を生じさせることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8246 , H01L 27/112 , H01L 21/266

FI (2件)：

H01L 27/10 433 , H01L 21/265 M

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