特許
J-GLOBAL ID：200903033214887518
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324173
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163261
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、薄い板厚の基板やチップ状に切断した基板からなる半導体装置においても、該半導体装置を構成する基板の裏面側から赤外光を照射して行われる、半導体装置を構成する集積回路パターンの解読や記憶情報の改竄等の不法行為を防止できる乱反射面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板の表面上に集積回路が配設された半導体装置において、該基板の裏面に、該裏面側から入射した光の乱反射を促す、該基板の表面とは非平行な面から構成された窪み及び突起の集合体を設けたことを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法は、前記窪み及び突起が、集束したエネルギービームを前記基板の裏面の多数点に照射して形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板の表面上に集積回路が配設された半導体装置において、該基板の裏面に、該裏面側から入射した光の乱反射を促す、該基板の表面とは非平行な面から構成された窪み及び突起の集合体を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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