化合物半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-251554
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097913
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチング時に生じるGaAs上に残留したSが簡便に除去でき、安定して良好なショットキー特性を有するゲート電極を形成する。【解決手段】動作層2を有するGaAs基板1上に酸化シリコン膜3を成膜した後、SF6 ガスを用いて酸化シリコン膜3をドライエッチングする。このとき、GaAs表面に残留硫黄6が残存する。次に、フォトレジスト4-1を除去し、塩酸水溶液に浸漬処理した後、H2 ガス雰囲気下にて、300以上600°C未満の高温ベーク処理を行い、残留硫黄6を除去する。そして、ゲート電極を形成し、ソース・ドレイン電極を形成して、半導体装置を得る。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板に動作層を形成し第1の膜を形成し少なくとも硫黄を含むガスを用いたドライエッチングにより前記第1の膜を選択的に除去して前記動作層の表面を露出させる第1工程と、前記第1工程の次に少なくとも水素を含むガス雰囲気中で熱処理を行なって前記動作層の露出面から残留硫黄を除去する第2工程とを有し、前記動作層とショットキー接合をなすゲート電極のショットキー障壁高さが残留硫黄によって低下するのを防止することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/872 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (6件)：

H01L 29/48 H , H01L 21/28 F , H01L 21/302 C , H01L 21/302 F , H01L 21/302 H , H01L 29/80 F

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