特許
J-GLOBAL ID：200903033215970451
熱現像記録材料
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-240511
公開番号（公開出願番号）：特開平10-161270
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 黒ポツがなく、完全乾式処理で写真製版分野で利用できる高いDmaxと階調を有する画像を形成しうる熱現像記録材料を提供する。【解決手段】 少なくとも1層の画像形成層を有する熱現像記録材料に、特定構造のヒドラジン誘導体と一般式(I)、(II)の化合物を併用する。【化27】[一般式(1)中EWDは電子吸引性基を表し、R100、R200およびR300は各々水素原子または1価の置換基を表す。但し、R100およびR200のうちの少なくとも一方は1価の置換基である。一般式(II)中R400は1価の置換基を表す。]
請求項（抜粋）：
少なくとも1層の画像形成層を有する熱現像記録材料において、有機銀塩と、還元剤と、下記一般式(1)から一般式(9)で表されるヒドラジン誘導体のうちの少なくとも1つと、下記一般式(I)および(II)で表される化合物のうちの少なくとも1つとを含有することを特徴とする熱現像記録材料。【化1】[一般式(1)においてY10はニトロ基、メトキシ基、アルキル基またはアセトアミド基を表し、X10はY10で表される置換基を除く1価の置換基を表す。m10は0 〜5 の整数であり、n10は0 〜4 の整数である。A1 およびA2 はそれぞれ水素原子、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基またはアシル基を表し、A1 およびA2 はともに水素原子であるか、または一方が水素原子で他方がアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基またはアシル基である。但し、m10とn10との和が5 をこえることはなく、またm10が0 の時、A1 およびA2 のいずれか一方はアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基またはアシル基である。一般式(2)においてAr1 は芳香族基またはヘテロ環基を表し、A3 およびA4 はそれぞれ一般式(1)におけるA1 およびA2 で表される基と同義の基を表す。X11は、少なくとも1 つの特定の置換基で置換されたアルキル基、少なくとも1 つの特定の置換基で置換されたアリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、無置換アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基、ヒドラジノ基、アルコキシ基またはアリールオキシ基を表す。一般式(3)においてAr2 は芳香族基またはヘテロ環基を表し、A5 およびA6 はそれぞれ一般式(1)におけるA1 およびA2 で表される基と同義の基を表す。X12は水素原子またはブロック基を表す。一般式(4)においてAr3 は芳香族基またはヘテロ環基を表し、A7 およびA8 はそれぞれ一般式(1)におけるA1 およびA2 で表される基と同義の基を表す。X13は水素原子またはブロック基を表し、G3 は-C(=S)-、-SO2 -、-SO-、-PO(X33)-(X33はX13に定義した基と同じ範囲内より選ばれ、X13と異なっていてもよい。)、ビニレン基またはイミノメチレン基を表す。但し、G3 がビニレン基またはイミノメチレン基である時、X13はそのα炭素に結合し、またG3 がビニレン基である時、Ar3はヘテロ環基である。一般式(5)においてX20、X21、およびX22はそれぞれ水素原子または1価の置換基を表すが、但しX20、X21およびX22が同時に芳香族基となることはない。A9 およびA10はそれぞれ一般式(1)におけるA1 およびA2 で表される基と同義の基を表し、X14は水素原子またはブロック基を表す。一般式(6)においてX30は脂肪族基を表し、X15は水素原子またはブロック基を表す。G5 は-COCO-または一般式(4)のG3 で表される基と同義の基を表す。A11およびA12はそれぞれ一般式(1)におけるA1 およびA2 で表される基と同義の基を表す。但し、G5 が-C(=S)-である時、X15が無置換アニリノ基となることはない。一般式(7)においてX40は脂肪族基を表し、X16は脂肪族基、芳香族基またはヘテロ環基を表す。A13およびA14はそれぞれ一般式(1)におけるA1 およびA2 で表される基と同義の基を表す。但し、X40がトリチル基である時、X16が無置換フェニル基となることはない。一般式(8)においてX50は3つのアリール基で置換されたメチル基を表し、X17は無置換アミノ基、アルキルアミノ基、ヘテロ環アミノ基またはアルキニル基を表す。A15およびA16はそれぞれ一般式(1)におけるA1 およびA2 で表される基と同義の基を表す。一般式(9)においてHetはヘテロ環基を表し、A17およびA18はそれぞれ一般式(1)におけるA1およびA2で表される基と同義の基を表す。]【化2】[一般式(I)においてEWDは電子吸引性基を表し、R100、R200およびR300は各々水素原子または1価の置換基を表す。但し、R100およびR200のうちの少なくとも一方は1価の置換基である。一般式(II)においてR400は1価の置換基を表す。]
IPC (2件)：
G03C 1/498 502
, G03C 1/498 504
G03C 1/498 502
, G03C 1/498 504
