特許

J-GLOBAL ID：200903033221486499

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタ基板

発明者： 糸賀 隆志 ,  桜井 猛久 ,  川内 治彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-069982
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260675
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 小型で且つ高いON電流を得ることができる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極2の平坦部上に収まるように形成されたi型非晶質Si膜上にチャネル保護膜6を屈曲した形状でパターニングすることにより、実質的なチャネル幅を大きくする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極を覆って形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された半導体膜と、該半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタにおいて、チャネル保護膜が上記半導体膜上に屈曲してパターニングされていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (4件)：

H01L 29/78 618 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/78 619 A