特許
J-GLOBAL ID:200903033222607052

熱電素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 重野 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-160077
公開番号(公開出願番号):特開平8-032128
出願日: 1994年07月12日
公開日(公表日): 1996年02月02日
要約:
【要約】【目的】 p-n接合部以外の積層界面に絶縁層を設けた熱電素子であって、焼成時のクラックや剥離の問題がなく、また、熱安定性、耐久性に優れた熱電素子を提供する。【構成】 ZrO2 ,Al2 O3 ,MgO,TiO2 ,Y2 O3 の1種以上の絶縁体セラミックスに10〜50重量%のガラスを加えた混合材料で絶縁層4を形成する。【効果】 半導体に比べて高温で焼結する絶縁体セラミックスを含む絶縁層の焼結温度が下がり、半導体の焼結温度とほぼ同等となり、半導体との一体焼結が可能となる。ガラスの配合により、半導体層と絶縁層の熱膨張係数が近づき、熱膨張係数の差に起因するクラックや層間剥離は防止される。焼成中に、ガラス成分が半導体との接合界面側に移動して接着剤の役割を果すため、界面剥離が防止される。
請求項(抜粋):
p型半導体とn型半導体とを交互に積層してなる熱電素子であって、該積層界面にp型半導体とn型半導体とを電気的に接合する接合部が形成されると共に、該積層界面の接合部位外の領域に絶縁層が介在されてなる熱電素子において、該絶縁層は、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタニウム及び酸化イットリウムよりなる群から選ばれる1種類又は2種類以上の絶縁体セラミックスとガラスとを含み、該ガラスの含有割合が10〜50重量%である混合材料を焼成したものであることを特徴とする熱電素子。

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