特許

J-GLOBAL ID：200903033227538369

絶縁膜の成膜方法

発明者： 鬼頭 英至
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061079
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273106
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【構成】 原料ガスの有機Si化合物として、Si-Si結合を有し、該Si-Si結合を構成する少なくともいずれかのSi原子に、-NR2 基および/または-N3 基が結合するものを用いる。さらに、上記Si-Si結合を構成するSi原子には、カバレージを改善できるアルキル基および/またはアルコキシル基を結合させた構造としてもよい。そして、このような原料ガスを導入し、プラズマCVDによってSiN系絶縁膜4またはSiON系絶縁膜5を成膜する。【効果】 速い成膜速度でも、ボイドやクラックがなく良好なカバレージを有する絶縁膜を形成できるため、パッシベーション膜や層間絶縁膜として適用して信頼性の高い半導体装置が作製できる。また、絶縁膜の成膜工程のスループットを向上させることができ、半導体プロセスの生産性向上、コスト低減を図れる。

請求項（抜粋）：

CVD装置の反応室内に原料ガスを導入して基板上に所望の絶縁膜を成膜するに際し、前記原料ガスとして、少なくとも1つのSi-Si結合を有し、該Si-Si結合を構成する少なくともいずれかのSi原子にN原子が少なくとも1つ結合されてなる有機Si化合物を用いることを特徴とする絶縁膜の成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205