特許

J-GLOBAL ID：200903033229928180

転位密度の測定方法

発明者： 小野 善伸 ,  谷 猛
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-332637
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141386
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル結晶中の転位密度の測定を、高い密度から低い密度までカバーでき、非破壊で迅速かつ簡便に行う方法を提供する【解決手段】エピタキシャル結晶にその結晶組成に対応した波長よりも短い波長のレーザー光を照射し、得られたフォトルミネッセンス光のピーク強度の面内分布を測定し、強度の特に弱い領域(ダークスポットまたはダークライン)の数(n)と、測定領域面積(Scm2)から下式(I)N=n/S (I)により転位密度(Ncm-2)を算出することを特徴とするエピタキシャル結晶中の転位密度の測定方法。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル結晶にその結晶組成に対応した波長より短い波長のレーザー光を照射し、得られたフォトルミネッセンス光のピーク強度の面内分布を測定し、強度の特に弱い領域(ダークスポットまたはダークライン)の数(n)と、測定領域面積(Scm2)から下式(I)N=n/S (I)により転位密度(Ncm-2)を算出することを特徴とするエピタキシャル結晶中の転位密度の測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/64

FI (2件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 21/64 Z

Fターム (13件)：

2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043FA01 ,  2G043KA01 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CB19 ,  4M106DJ11