特許

J-GLOBAL ID：200903033233385027

オーミック電極及びその製造方法

発明者： 塩島 謙次
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170824
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367927
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】不純物を高濃度にドーピングすることが困難である半導体材料を用いて形成した低抵抗なオーミック電極及びその製造方法を提供すること。【解決手段】成長表面13における(電子に対する)表面電位が下がり、エネルギーバンドが大きく曲がっている状態でp-GaN11を成長させ、成長表面13の近傍にイオン化したGa空孔14を有するp-GaN11とし、成長表面13に金属を堆積して低抵抗なオーミック電極を構成する。イオン化したGa空孔14による高密度の固定負電荷層が存在するため、エネルギーバンドの曲率が大きくなり、ショットキー障壁が薄くなって、オーミック特性が実現する。

請求項（抜粋）：

金属と半導体から成るオーミック電極であって、該半導体の表面に、該半導体における多数キャリアを発生させる結晶欠陥を配して成ることを特徴とするオーミック電極。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/28 301 G ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Fターム (13件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA98