特許

J-GLOBAL ID：200903033233981851

被膜形成方法

発明者： キューハ・チュン ,  エリック・スコット・モイヤー ,  マイケル・ジョン・スポールディング
出願人/特許権者： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-328597
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164589
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率をもつ被膜の提供【解決手段】 本発明は少なくとも2個のSi-H基含有樹脂と溶媒とを含む溶液を基材上に、少なくとも5体積%の溶媒が基材上に沈着後の被膜中に残留するように沈着させ、その後で得られた被膜をSi-H基が縮合するのに充分な濃度の塩基性触媒と水とを含む環境に露出し、溶媒を被膜から蒸発させて多孔質網状構造を持つ被膜を形成させることを包含する基材上に被膜を形成する方法を提供する。本発明方法は電子デバイスに低誘電率被膜を施すのに特に有用である。

請求項（抜粋）：

基材上に少なくとも2個のSi-H基含有樹脂及び溶媒を含有する溶液の被膜を基材上に、該溶液の基剤上に沈着後の被膜に少なくとも5体積%の溶媒を残留させて沈着させ、得られた被膜を前記Si-H基が加水分解されて少なくとも部分的に縮合する濃度の塩基性触媒及び水を含む環境に露出し、被膜から溶媒を蒸発させて多孔質網状構造の被膜を形成させることを包含する、基材上に被膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  B05D 7/00 ,  C08J 7/04

FI (3件)：

H01L 21/312 C ,  B05D 7/00 H ,  C08J 7/04 Z