特許

J-GLOBAL ID：200903033234461819

半導体装置の製造方法

発明者： 三浦 昭二 ,  杉坂 貴是 ,  榊原 利夫
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265057
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109880
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 平坦性を損なうことなくフィールド酸化膜の厚肉部分に分離溝を形成して、シリコン基板の結晶欠陥の発生を抑え、かつ半導体装置が不要に大型化することを防ぐ。【構成】 第2シリコン基板3の主面に、フィールド酸化膜8、シリコン窒化膜9、及びマスクとしてのシリコン酸化膜(CVD-SiO2 膜)10を順に形成する。絶縁膜2に達する分離溝12を選択エッチングにより形成する。分離溝12の内壁面に絶縁被膜13を形成する。分離溝12内に多結晶シリコン14を充填する。分離溝12内の多結晶シリコン14の上端がシリコン窒化膜9の上端より上になるように制御しながら多結晶シリコン14をエッチングバックする。分離溝12内の多結晶シリコン14とシリコン窒化膜9とをエッチングストッパ部として、CVD-SiO2 膜10をエッチング除去する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の主面に、部分的に肉厚となったフィールド酸化膜、シリコン窒化膜又は多結晶シリコン膜、及びマスクとしてのシリコン酸化膜を順に形成する工程と、該フィールド酸化膜の肉厚範囲において、該フィールド酸化膜、該シリコン窒化膜又は該多結晶シリコン膜、及び該シリコン酸化膜を選択エッチングして開口を形成する工程と、該開口から上記シリコン基板をエッチングして分離溝を形成する工程と、該分離溝の内壁面に絶縁被膜を形成する工程と、上記分離溝内に多結晶シリコンを充填する工程と、上記シリコン酸化膜上に堆積された多結晶シリコンを、上記分離溝内の多結晶シリコンの上端が上記シリコン窒化膜又は多結晶シリコン膜の上端より上になるようにエッチング制御しながらエッチングバックする工程と、上記第2シリコン酸化膜を、上記分離溝内の多結晶シリコンと上記シリコン窒化膜又は多結晶シリコン膜とを上記フィールド酸化膜及び上記絶縁被膜に対するエッチングストッパ部としながらエッチング除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。