特許

J-GLOBAL ID：200903033234577906

配線構造及び配線構造の製造方法

発明者： 下司 辰郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-127486
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335646
出願日： 1994年06月09日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 層間絶縁膜として液相成長法によるシリコン酸化膜(LPD-SiO2膜)を用いた場合でも、配線層を酸化又は腐食させない。【構成】 単結晶Alプラグ5を形成後、その表面を覆うようにTiW膜6を形成し、それから、LPD-SiO2膜8を形成する。そのため、単結晶Alプラグ5が大気や液相成長法に用いる飽和水溶液にさらされて酸化することはない。また、単結晶Al膜7の形成予定パターン通りにフォトレジスト膜を形成後、LPD-SiO2膜8を形成する。そして、PR膜を除去した後の凹部に、単結晶Al膜7を形成する。即ち、単結晶Al膜7を形成後にLPD-SiO2膜8を形成するのではないため、単結晶Al7が大気や前記飽和水溶液にさらされて酸化することはない。

請求項（抜粋）：

単結晶アルミからなる配線層又はプラグの上に保護膜を形成したことを特徴とする配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 B