特許
J-GLOBAL ID：200903033238292957
低温焼成セラミックス多層基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097659
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【構成】内部銅導体に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子との混合粒子が存在する低温焼成セラミックス多層基板。【効果】銅の有する導通抵抗が小さいという特性を十分に発現させることができ、また脱バインダ工程を完全に完了させることができ、さらに酸化銅に収縮抑制剤として銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子との混合粒子が添加されており、前記収縮抑制剤により酸化銅の銅への還元、さらに銅の焼結による収縮量を抑えて、該収縮量とセラミックス絶縁部の収縮量とを一致させることにより、基板に変形やクラック等の形状欠陥が発生すること及び断線の発生を押えることができ、小型の電子部品を高密度に実装することができる。
請求項（抜粋）：
内部銅導体に銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子、もしくは銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子、もしくは銅の融点以上の融点を有するセラミックス粒子と銅の融点以上の軟化点を有するガラス粒子との混合粒子が存在することを特徴とする低温焼成セラミックス多層基板。
引用特許：
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