高出力用半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-063080
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256268
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】チップ上のトランジスタ領域を並列動作させる際の寄生発振を防ぎ、安定な動作、電力効率などの性能の向上、信頼性を図った高出力用半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタ領域5を形成する際、前記トランジスタ領域間の少なくとも1部を電気的に接続する導電層9を形成する。導電層9はコレクタ層(サブコレクタ層)、ベース層のいずれか若しくは両方で構成される。この導電層9上には層間絶縁膜を介して配線、或いはパッドが形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数のトランジスタ領域と前記トランジスタ領域からの入力用電極パッド、出力用電極パッドを備えた半導体装置において、前記複数のトランジスタ領域が導電性の半導体層で相互に接続されていることを特徴とする高出力用半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-157467
特開平3-254132
特開平4-101455

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