特許

J-GLOBAL ID：200903033239119590

半導体装置の製造方法

発明者： 山田 恵三 ,  栗山 敏秀
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141695
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335716
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 厚みが1ミクロンから数十ミクロン程度の半導体薄膜を、均一にかつ精度よく、低コストで容易に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 他の領域よりも部分的に厚さが薄い領域を有し、その領域が外部からの作用により変形可能な単結晶シリコンからなる半導体装置の製造方法において、単結晶シリコン基板へ酸素または窒素を所定の深さにイオン注入した後にアニール処理を行って得られる絶縁膜上の単結晶シリコン薄膜上に、単結晶シリコンをエピタキシャル成長させて所望の厚みにし、次いで該絶縁膜または該絶縁膜とその下のシリコン基板の一部をエッチングによって取り除く工程を有する構成とする。

請求項（抜粋）：

他の領域よりも部分的に厚さが薄い領域を有し、その領域が外部からの作用により変形可能な半導体装置の製造方法であって、半導体基板へ所定の深さでイオン注入した後にアニール処理を行って得られる絶縁膜上の半導体薄膜上に、半導体物質をエピタキシャル成長させて所望の厚みにし、次いで該絶縁膜または該絶縁膜とその下の半導体基板の一部をエッチングによって取り除く工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 49/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 49/00 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/306 B