特許

J-GLOBAL ID：200903033242052880

多層配線構成体の製造方法

発明者： 丹羽 勝弘 ,  三浦 康男
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050174
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263549
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【構成】 以下の各工程を含むことを特徴とする多層配線構成体の製造方法。(A)シリコン基板上に熱酸化膜を形成する工程。(B)該熱酸化膜のパターン加工および該熱酸化膜の表面のエッチングを行う工程。(C)該熱酸化膜が形成されたシリコン基板上に金属層を形成する工程。(D)該金属層をパターン加工して該熱酸化膜を一部露出させる工程。(E)該金属層が形成されたシリコン基板上に絶縁体層を形成する工程。【効果】 本発明によると、パターン化された熱酸化膜の表面はエッチングされているので、上層の絶縁体層として剛直な構造のポリイミド膜を使用した場合にも接着性が良好で信頼性が高い多層配線構成体を得ることができる。

請求項（抜粋）：

以下の各工程を含むことを特徴とする多層配線構成体の製造方法。(A)シリコン基板上に熱酸化膜を形成する工程。(B)該熱酸化膜のパターン加工および該熱酸化膜の表面のエッチングを行う工程。(C)該熱酸化膜が形成されたシリコン基板上に金属層を形成する工程。(D)該金属層をパターン加工して該熱酸化膜を一部露出させる工程。(E)該金属層が形成されたシリコン基板上に絶縁体層を形成する工程。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H05K 3/46