特許

J-GLOBAL ID：200903033247826948

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法

発明者： 布上 真也 ,  飯田 晋 ,  小野村 正明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-274364
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111766
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】従来のELOGやpendeo成長等の方法により得られる低転位密度GaNの領域は、幅10μm程度が限界である。この幅を広くするためには、SiO2マスクの幅を広くしたり、成長の起点となる凸部の間隔を広くする必要がある。これを完全に埋め込み平坦な面を得るためには、数十μm以上の膜厚が必要である。膜厚が厚くなるに従い、基板の反りも大きくなり、クラックも発生しやすくなる。【解決手段】本発明では、基板100上に成長した窒化ガリウム102にトレンチ105a等を広い領域に形成し、熱処理を行い、マストランスポートにより窒化ガリウム層102中に空洞106a等を形成し、その上に窒化ガリウム系半導体の発光素子を形成する。これにより、トレンチを形成した全領域で低転位密度の窒化ガリウム層が得られる。また、空洞のサイズ、位置を制御可能であり、フォトニック結晶の作製も容易である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に窒化ガリウム系半導体層を形成する工程と、当該窒化ガリウム系半導体層に複数のトレンチを配列して形成する工程と、窒素を含む雰囲気中で熱処理を行い、前記複数のトレンチのうち少なくとも2つ以上の互いに隣接するトレンチを変形させ、変形させた当該トレンチの位置に対応して前記窒化ガリウム系半導体層の内部に連続した空洞を形成し、当該空洞を有する前記窒化ガリウム系半導体層の上に窒化ガリウム系半導体の素子を形成する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01S5/323 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (6件)：

H01S5/323 610 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  G02B6/12 Z ,  G02B6/12 B

Fターム (31件)：

2H047KA03 ,  2H047KB09 ,  2H047MA07 ,  2H047PA06 ,  2H047QA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA13 ,  5F045HA16 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F073AA89 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA26 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29