特許
J-GLOBAL ID：200903033268517953

電子放出源およびその製造方法ならびに電子放出源を用いたディスプレイ装置

発明者：
根岸 英輔

根岸 英輔 について

, 
中田 諭

中田 諭 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-160044
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348602
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 低い電圧で駆動でき、電子ビームの広がりが小さく、しかも長寿命で効率がよく、さらに電極間の短絡のおそれの少ない、製造歩留まりの高い電子放出源を提供する。【解決手段】 下部基板1上に形成したカソード電極ライン2と、カソード電極ライン1及び下部基板1の露出上面に絶縁層3を介して形成したゲート電極ライン4とを有し、ゲート電極ライン4の上面に開口し絶縁層3を貫通してカソード電極ライン2に至る複数の微細孔5が形成された電子放出源10において、微細孔5に臨むカソード電極ライン2の上面には、この上面からカソード電極ライン2の厚さ方向に所定の深さで延在し、かつ微細孔5の開口面積より大きい開口面積の凹部6を形成する。そして、凹部6の底面に電子放出薄膜7を形成したものである。
請求項（抜粋）：
基板上に形成したカソード電極と、前記カソード電極の上面に絶縁層を介して形成したゲート電極とを有し、前記ゲート電極の上面に開口し前記絶縁層を貫通して前記カソード電極に至る1つまたは複数の微細孔が形成された電子放出源であって、前記微細孔に臨む前記カソード電極の上面には該上面からカソード電極の厚さ方向に所定の深さで延在し、かつ前記微細孔の開口面積より大きい開口面積の凹部が形成され、前記凹部の底面に電子放出薄膜が形成されている、ことを特徴とする電子放出源。
IPC (4件)：
H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12
FI (4件)：
H01J 1/30 F ,  H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C
Fターム (13件)：
5C031DD09 ,  5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE01 ,  5C036EE03 ,  5C036EE08 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH01 ,  5C036EH08
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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