特許

J-GLOBAL ID：200903033269093090

半導体素子およびこれを用いた半導体記憶装置

発明者： 矢野 和男 ,  石井 智之 ,  橋本 孝司 ,  関 浩一 ,  青木 正和 ,  阪田 健 ,  中込 儀延 ,  竹内 幹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-291638
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111295
出願日： 1993年11月22日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、少ない素子数、少ない面積で素子自体が情報記憶機能を有するメモリが構成できるとともに極低温への冷却を必要としない半導体素子および記憶装置を提供することである。【構成】 電子1個のトラップへの捕獲の有無がFETの電流値として明確に区別できるまでに、ゲートチャネル間の容量を小さく設定したものである。トラップへの捕獲の有無によるしきい値の大小をセンスして、室温において情報を記憶することができる。【効果】 本発明により高集積、低消費電力、不揮発の記憶装置が実現でき、システムの低消費電力化、小型化に顕著な効果がある。

請求項（抜粋）：

ソース領域と、ドレイン領域とを有し、上記ソース領域はチャネル領域を介して上記ドレイン領域と接続され、上記チャネル領域はゲート絶縁膜を介してゲート電極と接続され、上記ソース領域と上記ドレイン領域との間の上記チャネル領域の電流経路の近傍には少なくとも1個のキャリアを捕獲する準位が形成されてなり、上記ゲート電極(4)と上記チャネル領域(3)との間の実効的な容量値Cgcが不等式1/Cgc>kT/q2(ここでkはボルツマン定数、Tは動作温度、qは電子の電荷量である)を満たす程度に小さく設定されたことを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-313314   出願人：ローム株式会社