特許

J-GLOBAL ID：200903033275278425

集積回路構造体上に形成されたポリシリコン/珪化タングステン多層コンポジット及び製造方法

発明者： イスラエル ベイングラス ,  ラマヌジャプラム エー. スリニバス
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110978
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069496
出願日： 1996年05月01日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ステップカバレージが改善され、タングステンリッチではないポリシリコン/珪化タングステン(WSiX )のコンポジット及びこれを製造する方法。【解決手段】 半導体基板上の集積回路構造体上にポリシリコンのドープ層と、この上にノンドープのポリシリコンのキャップ層を堆積する。そして、珪化タングステンの層がポリシリコンキャップ層の上に形成されるが、ここでは、WF6等のタングステンのガス状ソースと、珪素ソースとしてジクロロシランを用い、タングステンリッチでない珪化タングステンを形成する。構造体をアニールしてノンドープの層の下にあるドープポリシリコン層のドーパントをノンドープのポリシリコン層へ移動させてノンドープのポリシリコンキャップ層をドープしてもよい。アニールは、集積回路構造体の処理をその後行う工程の一部としてインシチュウ(in situ )に遂行されることが好ましい。

請求項（抜粋）：

集積回路構造体であって、a)ドープされているドープ表面部分を少なくとも有する第1のポリシリコン層と、b)前記第1のポリシリコン層の前記ドープ表面の上に形成された、ノンドープの第2のポリシリコン層とc)タングステン含有ガスとジクロロシランとの反応により、前記ノンドープの第2のポリシリコン層の上に形成された珪化タングステン層とを備える集積回路構造体。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  B32B 9/00 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 301 A ,  B32B 9/00 A ,  H01L 21/90 C