不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-053842
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250611
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】EEPROMのメモリセルにデータを書き込む際のビット線電位の変動を押さえる。またこのメモリセルへのデータ書き込み時間を短縮する。【構成】EEPROMの副ビット線BLsa1にメモリセルトランジスタMa1のドレインが接続される。副ビット線は接続トランジスタTpgを介してフリップフロップ回路(SRAMビットセル)30aに接続される。メモリセルトランジスタMa1に書き込もうとするデータに対応する副ビット線の電位は、フリップフロップ回路30aに一旦記憶される。この電位記憶はSRAMセルへの書き込み動作なので高速に行われる。また、副ビット線の電位はSRAMセルが一旦記憶したデータに対応した一定値に保持される。

請求項（抜粋）：

複数のワード線および複数のビット線を持ち、各ワード線と各ビット線との交点位置にメモリセルが配設されるメモリセルアレイと;前記ビット線に接続され、前記メモリセルトランジスタに格納されるデータを一旦記憶するスタティック型記憶手段と;前記スタティック型記憶手段に記憶されたデータを不揮発性情報として保持するフローティングゲート、およびこのフローティングゲートに保持される情報の書込、消去または読取を制御するものであって前記ワード線に接続されるコントロールゲートを持ち、前記メモリセルアレイを構成するメモリセルトランジスタと;第1電位およびこの第1電位と異なる第2電位が交互に反復する駆動信号を前記メモリセルトランジスタのコントロールゲートに与える駆動信号手段と;を具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 27/10 481

FI (4件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 481 , G11C 17/00 510 A , H01L 27/10 434

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