半導体膜の成長方法及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060210
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340512
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】不純物濃度プロファイルの急峻性や表面の平坦性を有する半導体膜の成長方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】チャンバー1内で、サセプタ4の上に基板3を設置し、基板3を高温に加熱する。流量計10,11を介設した原料ガス供給管7,希釈ガス供給管9から原料ガスと希釈ガスとをチャンバー1内に供給する一方、パルスバルブ20を介設した添加ガス供給管12とガス導入管13から、パルスバルブ20の開閉に応じてドーピングガスを供給して、基板3上にドープ層をエピタキシャル成長させる。そのとき、パルスバルブ20を介してガスボンベの減圧器の二次側のドーピングガスを基板3の表面上にパルス状に直接供給することで、基板3からドープ層に遷移する領域における不純物濃度プロファイルが急峻になり、ドープ層の表面が平坦化される。

請求項（抜粋）：

基板の単結晶領域上に半導体膜をエピタキシャル成長させる方法であって、上記基板をチャンバー内に設置するステップ(a)と、上記ステップ(a)の後で、上記チャンバー内に、上記半導体膜を構成する元素を含む原料ガスを供給するとともに、添加ガスを少なくとも1回パルス状に供給することにより上記半導体膜を形成するステップ(b)とを含むことを特徴とする半導体膜の成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , C30B 25/14 , C30B 25/18 , H01L 21/20 , H01L 29/872

FI (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , C30B 25/14 , C30B 25/18 , H01L 21/20 , H01L 29/48 D

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭64-044013
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-096731 出願人：日新電機株式会社
特開平4-230021

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