特許

J-GLOBAL ID：200903033275638146

突起電極の形成方法

発明者： 安間 章隆 ,  柴山 勝己 ,  田中 章雅
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296057
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136149
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 ダイシング装置から吹き付けられる高圧水が原因となり、チップの切り出し時に生じていた突起電極の変形を防止する突起電極の形成方法を提供することにある。【構成】 CCD基板10上に、Ti膜15、Au膜16を順に形成する工程と、形成したAu膜16の表面にレジスト膜17を選択的に形成し、複数の突起電極の形成予定領域を露出させる工程と、Au膜16をメッキ電極として電気メッキを施し、各突起電極の形成予定領域に電極材料11 ́を析出させる工程と、CCD基板10を所定のチップ形状に切り出す工程と、切り出したCCD基板10からレジスト膜17を除去する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板にメッキ電極用の下地金属膜を形成する工程と、形成した前記下地金属膜の表面にレジスト膜を選択的に形成し、複数の突起電極の形成予定領域を露出させる工程と、前記レジスト膜を形成した前記下地金属膜の表面に電気メッキを施し、前記各突起電極の形成予定領域に突起電極の電極材料を析出させる工程と、前記電極材料を析出させた半導体基板を所定の形状に切り出す工程と、所定の形状に切り出した前記半導体基板から、前記レジスト膜を除去する工程とを備えることを特徴とする突起電極の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 21/92 F ,  H01L 27/14 F