特許

J-GLOBAL ID：200903033279778945

窒化物半導体素子

発明者： 尺田 幸男
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-315204
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141085
出願日： 2007年12月05日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：

【課題】格子欠陥が集中する領域を極力小さくし、どのようなデバイスにも適用できるようにした窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】成長用基板1上に選択成長用マスク11及びAlNバッファ層2が形成され、さらにノンドープGaN層3、n型GaN層4、MQW活性層5、p型GaN層6が順に積層されている。成長用基板1上に形成される選択成長用マスク11は、円形状又は多角形状の形状を有しており、選択成長用マスク11の周囲が成長用基板1で囲まれた島状に複数形成されている。このようにすることで、格子欠陥が集中する領域を極力小さくすることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

成長用基板上に円形状又は多角形状の選択成長用マスクを、該選択成長用マスクの周囲が前記成長用基板で囲まれた島状に複数形成し、GaN系半導体結晶が前記選択成長用マスクを覆うように形成したことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/04 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L33/00 C ,  C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Fターム (44件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザ装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-233866   出願人：松下電器産業株式会社