特許

J-GLOBAL ID：200903033279929773

半導体装置及びその製造方法

発明者： 布野 栄 ,  石原 勝則 ,  犬宮 誠治 ,  小澤 良夫
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255479
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091337
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 オキシナイトライド膜の再酸化処理工程をなくし、製造工程数が減少できる半導体装置の製造方法を提供する。低温化プロセスが採用できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、3元系混合体を使用し、CVDによりオキシナイトライド膜を成膜する。3元系混合体は、水素を含まない珪素系材料ガス又は珪素系液体ソースと、水素を含まない酸化性材料ガスと、一酸化窒素ガス(NO)とを含む。珪素系材料ガス又は珪素系液体ソースにはSiCl4、Si2Cl6又はSiF4が使用される。酸化性材料ガスにはN2O、O2又はO3が使用される。

請求項（抜粋）：

下記(A)、(B)及び(C)を含む3元系混合体を使用し、化学的気相成長により半導体基板上にオキシナイトライド膜を成膜したことを特徴とする半導体装置の製造方法。(A)水素を含まない珪素系材料ガス又は珪素系液体ソース(B)水素を含まない酸化性材料ガス(C)一酸化窒素ガス

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/31 B

Fターム (53件)：

5F045AA06 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD12 ,  5F045AD15 ,  5F045AE21 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CB01 ,  5F045DC51 ,  5F045DC52 ,  5F045DC62 ,  5F045DC66 ,  5F045DP19 ,  5F045HA03 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F045HA20 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BE04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF63 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH07 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04