特許

J-GLOBAL ID：200903033281233301

真空アーク蒸着法

発明者： 永田 徳久 ,  松山 秀昭 ,  草川 和大
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000925
公開番号（公開出願番号）：特開2003-201557
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】 成膜速度の低下を抑え、安定した成膜速度を得ることが可能な真空アーク蒸着法を提供する。【解決手段】 アーク源において成膜原料を陰極としたアーク放電によって陰極物質プラズマを発生させる工程と、該陰極物質プラズマを磁気フィルターによって被成膜基板に誘導する工程と、該陰極物質プラズマ中の陰極物質イオンから膜を形成する工程とを具えた真空アーク蒸着法において、成膜時圧力が0.01Pa以下であることを特徴とする真空アーク蒸着法。

請求項（抜粋）：

アーク源において成膜原料を陰極としたアーク放電によって陰極物質プラズマを発生させる工程と、該陰極物質プラズマを磁気フィルターによって被成膜基板に誘導する工程と、該陰極物質プラズマ中の陰極物質イオンから膜を形成する工程とを具えた真空アーク蒸着法において、成膜時圧力が0.01Pa以下であることを特徴とする真空アーク蒸着法。

IPC (4件)：

C23C 14/24 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84 ,  G11B 5/85

FI (4件)：

C23C 14/24 F ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84 B ,  G11B 5/85 A

Fターム (18件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA55 ,  4K029BA58 ,  4K029BC02 ,  4K029BD04 ,  4K029BD05 ,  4K029BD11 ,  4K029CA04 ,  4K029DD06 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  5D006AA02 ,  5D006AA05 ,  5D112AA07 ,  5D112BC05 ,  5D112FA02 ,  5D112FB11