特許
J-GLOBAL ID：200903033281355954
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-245363
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093046
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【目的】本発明は、単結晶半導体と多結晶半導体の両方が露出した半導体表面上でも、良好なゲート電極が形成される半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】半導体基板に形成された第1の単結晶半導体領域と、第1の単結晶半導体領域に前記基板まで達するように形成されたトレンチと、トレンチの下部側壁と底面に形成された第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜に接してトレンチ内に形成された多結晶半導体領域と、トレンチの上部側壁に沿って第1の絶縁膜と接するように形成され、その厚さは第1の絶縁膜の厚さよりも厚く、深さは厚さよりも大きい第2の絶縁膜と、第1の単結晶領域と上面または側面で隣接し、第2の絶縁膜の上面および側面に隣接し、多結晶半導体領域の上面に接して形成された第2の多結晶半導体領域を有し、多結晶半導体領域と第2の単結晶半導体領域との界面は、第2の単結晶領域と第2の絶縁膜との界面よりも低く形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の主面に形成された第1の単結晶半導体領域と、前記第1の単結晶半導体領域に前記半導体基板まで達するように形成されたトレンチと、前記トレンチの下部側壁および底面に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜に接して前記トレンチ内に形成された多結晶半導体領域と、前記トレンチの上部側壁に沿って形成され、前記第1の絶縁膜と接するように形成され、そのトレンチ側壁に垂直な厚さは前記第1の絶縁膜のトレンチ側壁に垂直方向の厚さよりも厚く、そのトレンチ側壁に沿った深さは前記トレンチ側壁に垂直な厚さよりも大きい第2の絶縁膜と、前記第1の単結晶領域と上面または側面で隣接し、前記第2の絶縁膜の上面および側面に隣接し、前記多結晶半導体領域の上面に接して形成された第2の多結晶半導体領域を有し、前記多結晶半導体領域と前記第2の単結晶半導体領域との界面は、前記第2の単結晶領域と前記第2の絶縁膜との界面よりも低く形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/78
H01L 27/10 625 A
, H01L 27/04 C
, H01L 29/78 301 G
