特許

J-GLOBAL ID：200903033285312028

半導体装置およびその製造方法

発明者： 坂井 弘之 ,  竹中 信之
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175471
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046036
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウム2層配線を用いずに非常に簡便な方法で平坦度の優れた2層配線を形成する。【構成】 トランジスタ上の酸化膜17の開口部に1層目の配線として高融点金属であるタングステン(W)を用いてW配線18を形成した。W配線18の形成後、BPSG膜を形成し、それを高温で熱処理することにより平坦度の優れた酸化膜19を形成してから、さらに酸化膜19の開口部に2層目の配線としてアルミニウム(Al)電極配線20を形成する。

請求項（抜粋）：

MOS型トランジスタのソース、ドレイン上に高融点金属による配線が形成され、前記高融点金属配線上に金属による配線が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 N ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 681 B