特許

J-GLOBAL ID：200903033286082930

制御可能な超電導体製構造素子

発明者： ハルトムート、ドブナール ,  ベルナー、シャーバー ,  トーマス、ペーターラインス ,  パウル、ツィーマン
出願人/特許権者： ドルニエ、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-107011
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022661
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】制御電極(ゲート)により、他の両電極間の電流ないし電圧に直接影響を及ぼすことができる、超電導体、特にHTSLを基材とする電子構造素子を提供する。【構成】薄い超電導性層が、薄い、特に疑似絶縁性層(変換層)と接触し該変換層中で、非金属/金属の相転移により引き起こされる境界を接する金属電極(ゲート)から流れる電流により、約数倍の伝導性の増加が引き起こされ、それによって超伝導体路の電流負荷容量ないしインピーダンスが制御される。

請求項（抜粋）：

薄い超電導性層が、薄い、特に疑似絶縁性層(変換層)と接触していること、変換層中で、境界を接する金属電極(ゲート)から流れる電流により、約数倍の伝導性の増加が引き起こされること、およびそれによって超電導体路の電流負荷容量ないしインピーダンスが制御されることを特徴とする、マイクロエレクトロニクス用の薄膜構造素子。

IPC (3件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 29/86 ,  H01L 39/02 ZAA