特許
J-GLOBAL ID：200903033287847646
薄膜多層基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215114
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061369
出願日： 1992年08月12日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 精度良く有機絶縁層の加工を行うことができるとともに、工程が簡単でコスト的に有利な薄膜多層基板の製造方法を提供する。【構成】 セラミックス基板上に導体層と有機絶縁層とを少なくとも一層ずつ交互に形成してなる薄膜多層基板の製造方法において、前記セラミックス基板の所定の部位に有機絶縁層を形成する工程と、前記有機絶縁層上に所定のパターンが形成されているマスクを装着する工程と、前記マスクを装着した有機絶縁層上にブラスト処理を施してマスクに覆われていない有機絶縁層を除去する工程とから構成する。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板上に導体層と有機絶縁層とを少なくとも一層ずつ交互に形成してなる薄膜多層基板の製造方法において、前記セラミックス基板の所定の部位に有機絶縁層を形成する工程と、前記有機絶縁層上に所定のパターンが形成されているマスクを装着する工程と、前記マスクを装着した有機絶縁層上にブラスト処理を施してマスクに覆われていない有機絶縁層を除去する工程と、からなることを特徴とする薄膜多層基板の製造方法。
IPC (2件)：
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