特許
J-GLOBAL ID：200903033288784559
半導体ウェーハ上の集積回路構造体形成用VHF/UHFプラズマ処理法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-189003
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151367
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体ウェーハ上に酸化けい素を蒸着するプラズマ補助CVD共形等方性蒸着処理法を提供する。【構成】プラズマが、VHF/UHF電源により、約50から約800MHzの範囲の周波数で発生する。低圧プラズマ結合エッチングあるいは蒸着処理は、約500ミリトルを超えない圧力で、陽極と陰極の面積比が約2:1から約20:1の範囲で、また、電極間距離が約5cmから約30cmの範囲で、行われる。高圧プラズマ補助エッチングあるいは蒸着処理は、500ミリトルから50トル以上の範囲の圧力で、また陽極と陰極の電極間隔が約5cmより小さい範囲で行われる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハが取り付けられた電極を有する真空室内の半導体ウェーハ上に、集積回路素子を製作する方法であって、前記電極へ接続され、且つ約50MHz から約800MHz の周波数範囲内で動作する一つ以上の電源により励起された前記室内のプラズマを維持することより成っていることを特徴とする処理法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/205
, H01L 21/31
