特許
J-GLOBAL ID:200903033290913374

陽極酸化ポーラスアルミナ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶山 佶是 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-084709
公開番号(公開出願番号):特開2002-285382
出願日: 2001年03月23日
公開日(公表日): 2002年10月03日
要約:
【要約】【課題】 35nm以下の細孔周期を有する陽極酸化ポーラスアルミナを提供する。【解決手段】 一旦陽極酸化を行った後、地金Al層を除去した酸化物層あるいはそれと同一の幾何学構造を有する鋳型により、他のAl基板に前記鋳型の規則構造を転写し、該転写部分を孔発生点として陽極酸化することにより元の細孔周期の1/2に対応する細孔周期を有する陽極酸化ポーラスアルミナとするか、又は、一旦陽極酸化を行った後、酸化物被膜層を除去したAl地金あるいはそれと同一の幾何学構造を有する鋳型により、他のAl基板に前記鋳型の規則構造を転写し、該転写部分を孔発生点として陽極酸化することにより元の細孔周期の1/√3に対応する細孔周期を有する陽極酸化ポーラスアルミナとする。
請求項(抜粋):
35nm以下の細孔周期を有することを特徴とする陽極酸化ポーラスアルミナ。
IPC (2件):
C25D 11/04 302 ,  C25D 11/16
FI (2件):
C25D 11/04 302 ,  C25D 11/16
引用特許:
審査官引用 (3件)

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