半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295263
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151415
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の層間絶縁膜を、ボイドがなく膜厚が薄くかつ耐圧特性が良好なものにする。【構成】ポリシリコン配線層11の設けられたシリコン基板10上に膜厚0.4μmのBPSG膜12を形成する。このシリコン基板を熱処理し、BPSG膜をリフローさせて平坦化する。平坦化したBPSG膜上に耐圧特性の良いHTO膜13を膜厚0.3μmに形成する。これにより、ボイドがなく膜厚が薄くかつ耐圧特性の良好な層間絶縁膜が得られる。また、層間絶縁膜の膜厚が均一なので、コンタクトホール形成のエッチングを、一定の短時間で行うことが出来る。また、これら各製造工程を、所定の真空度に維持された同一の装置内にて連続的に行うことにより、製造時間を大幅に短縮させることが出来る。

請求項（抜粋）：

配線層の設けられた基板上に所定の厚さで第1の絶縁膜を形成する第1絶縁膜形成工程と、前記第1の絶縁膜をリフローして平坦化する平坦化工程と、前記平坦化された第1の絶縁膜上に絶縁耐圧特性の良い第2の絶縁膜を所定の厚さで形成する第2絶縁膜形成工程とを設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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