特許
J-GLOBAL ID：200903033300239774
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-028628
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240395
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 カンチレバーを備えた半導体装置の製造を容易にする。【構成】 製造工程でのみカンチレバー2を機械的に補強する支持構造3を設け、不要となった時点で支持構造3を除去する工程を含む製造方法において、n型のシリコン基板1で、少なくとも支持構造3形成位置を除くシリコン基板1の表面部分にp型不純物を拡散し、反応ガス中で光を照射して支持構造3をエッチングにより除去する。【効果】 支持構造3を半導体プロセスにて一括して容易に除去することができるので工程時間の短縮、価格の低減が図れる。
請求項（抜粋）：
カンチレバーを備えた半導体装置の製造方法であって、製造工程でのみ前記カンチレバーを機械的に補強する支持構造を設け、不要となった時点で前記支持構造を除去する工程を含む半導体装置の製造方法において、n型の半導体基板を用い、少なくとも前記支持構造形成位置を除く半導体基板の表面部分にp型不純物を拡散する工程と、所定の反応ガス中で所定の光を照射して前記支持構造をエッチングにより除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306
, G01D 5/16
, G01L 9/04 101
, H01L 21/302
, H01L 29/84
H01L 21/302 P
, G01D 5/16 S
, H01L 21/302 Z
