特許
J-GLOBAL ID：200903033309381409
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341671
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189456
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 MOCVD法により上面にマスクを有するメサを平坦に埋め込む。【解決手段】 埋め込み層7の堆積速度がマスク2から離れた領域よりマスク2近傍で速い第一の堆積工程と,埋め込み層7の堆積速度がマスク2から離れた領域よりマスク2近傍で遅い第二の堆積工程とからなる。III 族原料ガスに対するV族原料ガスの流量比をU<SB>N </SB>/U<SB>M </SB>,堆積温度をTとするとき,マスク近傍と遠方とで堆積速度が等しいときのU<SB>N </SB>/U<SB>M </SB>,Tから式log(U<SB>N </SB>/U<SB>M </SB>)=A(1/T)+Cの定数A,Cを求め,第一の堆積条件をlog(U<SB>N </SB>/U<SB>M </SB>)>A(1/T<SP>O </SP>)+C,第二の堆積条件をlog(U<SB>N </SB>/U<SB>M </SB>)<A(1/T<SP>O </SP>)+Cとする。
請求項（抜粋）：
基板上に上面が選択堆積用マスクで覆われた化合物半導体のメサを形成する工程と,有機金属化学堆積法(MOCVD法)を用いて該メサの外側の該基板上にIII-V 化合物半導体又はII-VI 化合物半導体からなる埋め込み層を堆積する該メサの埋め込み工程とを有する化合物半導体装置の製造方法において,該埋め込み工程は,該埋め込み層の堆積速度が該マスクから離れた領域より該マスクの外縁近傍で速い第一の堆積工程と,該埋め込み層の堆積速度が該マスクから離れた領域より該マスクの外縁近傍で遅い第二の堆積工程とからなることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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