半導体結合超伝導素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316825
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162449
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】高い超伝導臨界温度を有する超伝導電極作製材料を用いることにより、より高い温度で動作可能な半導体結合超伝導素子を得ることのできる半導体結合超伝導素子の製造方法を提供する。【解決手段】複数の半導体層が積層された積層半導体と、この半導体中に形成される二次元電子ガスとオーミックに接触している二つの超伝導電極と、この二つの超伝導電極間に形成される前記二次元電子ガス中に流れる超伝導電流を制御する第三の電極を有する半導体結合超伝導素子の製造において、オーミックに接触している二つに超伝導電極と第三の電極を同一の材料で同時に形成し、二つの超伝導電極の作製中に試料を200°C以上に加熱する。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の半導体層が積層されてなる積層半導体と、この積層半導体中に形成される二次元電子ガスとオーミックに接触している二つの超伝導電極と、この二つの超伝導電極間に形成される前記二次元電子ガス中に流れる超伝導電流を制御する第3の電極を有する半導体結合超伝導素子の製造方法であって、前記積層半導体上に第1の電子ビーム露光用レジストを塗布する工程と、前記第1の電子ビーム露光用レジストをパターニングする工程と、前記パターン化したレジストをマスクとして前記二次元電子ガスが形成される層の下の半導体層から上の層をメサ状に残すようにエッチングを行う工程と、前記第1のレジストを除去した後、前記積層半導体を超伝導体形成装置中にて加熱し、スパッタリング法により該積層半導体の全面に前記メサ部分を覆うように超伝導体層を形成する工程と、前記超伝導体形成装置から積層半導体を取り出した後、第2の電子ビーム露光用レジストを塗布する工程と、前記超伝導体層上に形成した第2の電子ビーム露光用レジストを前記二つの超伝導電極と前記第3の電極とを分離するためのパターンに感光し、現像する工程と、前記パターン化した第2のレジストをマスクとしてエッチングによりパターンの溝になった部分の前記超伝導体を除去し、それぞれ前記超伝導体からなる二つの超伝導電極および第3の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体結合超伝導素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 39/06 ZAA , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 39/24 ZAA

FI (4件)：

H01L 39/06 ZAA , H01L 21/28 301 H , H01L 21/28 301 Z , H01L 39/24 ZAA F

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