特許

J-GLOBAL ID：200903033310220664

希土類系酸化物超電導体及びその製造方法

発明者： 谷 信 ,  早瀬 徹
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 一平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076865
公開番号（公開出願番号）：特開平5-279031
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月26日
要約：

【要約】【構成】 貴金属又は貴金属化合物が制御された濃度分布をしている希土類系酸化物超電導体。貴金属又は貴金属化合物を含有する希土類系酸化物超電導体の成形体に、該成形体の希土類系酸化物超電導体より融点の高い希土類系酸化物超電導体の単結晶を接触配置し、次いで該成形体を加熱して半溶融状態にした後徐冷する希土類系酸化物超電導体の製造方法。【効果】 配向性の高い大きな結晶粒から成る希土類系酸化物超電導体が得られ、超電導電流のループ半径を大きくすることができる。

請求項（抜粋）：

貴金属又は貴金属化合物が制御された濃度分布をしていることを特徴とする希土類系酸化物超電導体。

IPC (6件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/00 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA