特許
J-GLOBAL ID：200903033313790895
GaAs基板の製造方法及び該基板を用いたショットキーバリアダイオード素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-146180
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014776
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【構成】 シリコン基板11上にGaAs層をエピタキシャルに成長させるGaAs基板の製造方法であって、シリコン基板11上に厚さが0.2μm以下の第1のGaAs層(第1層)12を500°C以下で成長させた後、第1層12の上に第1層12との合計の厚さが3μm以下になるように第2のGaAs層(第2層)13を600°C以上で成長させ、さらに第2層の上に第1層12及び第2層13との合計の厚さが5〜7μmになるように第3のGaAs層(第3層)14を500°C以下で成長させるGaAs基板の製造方法。【効果】Si基板11の上に、結晶性の良いGaAsエピタキシャル層を3μm以上の厚さで効率よく成長させることができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にGaAs層をエピタキシャルに成長させるGaAs基板の製造方法であって、シリコン基板上に厚さが0.2μm以下の第1のGaAs層を500°C以下で成長させた後、該第1のGaAs層の上に該第1のGaAs層との合計の厚さが3μm以下になるように第2のGaAs層を600°C以上で成長させ、さらに該第2のGaAs層の上に前記第1のGaAs層及び前記第2のGaAs層との合計の厚さが5〜7μmになるように第3のGaAs層を500°C以下で成長させることを特徴とするGaAs基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 29/872
, H01L 29/91
H01L 29/48 H
, H01L 29/91
