特許
J-GLOBAL ID：200903033326314715
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-117849
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315343
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャルベースバイポーラトランジスタの製造に関し,エミッタ・ベース間の絶縁不良を防止することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に順次堆積したポリシリコン層3及び絶縁層4を貫通し基板1を表出する開口5を開設する工程と,開口5の底面に表出する基板1表面にベース層6を堆積する工程と,絶縁物を堆積し,エッチバックして開口5底面にベース層6を表出させ,同時に開口5の側壁面を掩覆するサイドウオールをスペーサ7として形成する工程と,開口5底面に表出するベース層6と接続し,スペーサ7によりポリシリコン層3から絶縁されたエミッタ電極9をスペーサ7上に形成する工程とを有するバイポーラトランジスタの製造において,開口5を開設した後,ベース層6を堆積する工程に先立ち,開口5の側壁面に表出するポリシリコン層3の端面を等方性エッチングする工程を有して構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)上にポリシリコン層(3)及び絶縁層(4)を順次堆積する工程と,該絶縁層(4)及び該ポリシリコン層(3)を貫通し該基板(1)を表出する開口(5)を開設する工程と,該開口(5)の底面に表出された該基板(1)表面上にベース層(6)を堆積する工程と,該ベース層(6)を覆い該基板(1)上に絶縁物を堆積したのち該絶縁物をエッチバックして該開口(5)の底面に該ベース層(6)を表出し,同時に該開口(5)の側壁面を掩覆するサイドウオールをスペーサ(7)として形成する工程と,該開口(5)の底面に表出された該ベース層(6)に形成されるエミッタ領域と接続し,該スペーサ(7)により該ポリシリコン層(3)から絶縁されたエミッタ電極(9)を該スペーサ(7)上に形成する工程とを有するバイポーラトランジスタを含む半導体装置の製造方法において,該開口(5)を開設した後,該ベース層(6)を堆積する工程に先立ち,該開口(5)の側壁面に表出する該ポリシリコン層(3)の端面及び該開口(5)の底面に表出する該基板(1)表面を等方性エッチングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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