特許

J-GLOBAL ID：200903033329361218

センサー用シリコン基板構造及びその製造方法

発明者： 朱 炳 勸 ,  呉 明 煥
出願人/特許権者： 財団法人韓国科学技術研究院
代理人 (1件)： 笹島 富二雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312095
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226674
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】溶融接合を利用したシリコン基板のシリコン膜上に形成するセンサー回路素子の動作特性の信頼性を高めることを目的とする。【構成】平板状の下部基板2に溶融接合する上部基板1の、接合側にまず電気化学的蝕刻停止により空洞3を形成した後、上部基板1と下部基板2とを接合する。続いて、上部基板1の上面側を電気化学的蝕刻停止により蝕刻して薄板化を行い、シリコン膜4を形成するようにした。これにより、シリコン膜上のセンサー回路素子形成部が、接合界面から離れ、接合界面における結晶欠陥等の影響が伝播しなくなり、動作特性の低下を防止できる。

請求項（抜粋）：

平板状の下部基板(2)の上面に接合した上部基板(1)の接合面側に空洞(3)を形成し、該空洞(3)の上部をセンサ用回路素子を形成するシリコン膜部(4)としたことを特徴とするセンサー用基板構造。

IPC (3件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-072775
  
• 特開昭58-211615