特許

J-GLOBAL ID：200903033331014304

結晶処理方法および結晶並びに光学部品及び露光装置

発明者： 千葉 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089690
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281493
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 大口径の結晶であっても、残留応力を低コストで効果的に除去することが可能な結晶処理方法を提供すること。また、大口径の結晶であっても、その外周部での特性が従来に比べ優れている(例えば複屈折率が従来に比べて低い)結晶、光学部品を提供すること。従来に比べ解像度が優れている露光装置を提供すること。【解決手段】 残留応力を有する結晶1に、残留応力とは反対向きの応力が該結晶に加わるように荷重(自重)等を外部からかけながらアニールを行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

残留応力を有する結晶に、該残留応力とは反対向きの応力が該結晶に加わるようにしながらアニールを行うことを特徴とする結晶処理方法。

IPC (5件)：

C30B 29/12 ,  C30B 33/02 ,  G02B 1/02 ,  H01L 21/027 ,  G03F 1/14

FI (5件)：

C30B 29/12 ,  C30B 33/02 ,  G02B 1/02 ,  G03F 1/14 B ,  H01L 21/30 515 D

Fターム (19件)：

2H095BA01 ,  2H095BA02 ,  2H095BA07 ,  2H095BC27 ,  4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD02 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077FE10 ,  4G077HA02 ,  5F046BA03 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046CB02 ,  5F046CB12 ,  5F046CB17