窒素化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246790
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077417
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】より高い発光効率の発光層を備える窒素化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 m番目の障壁層を結晶成長させる工程と、m番目の障壁層の上にm番目の井戸層を結晶成長させる工程と、m番目の井戸層の上にm+1番目の障壁層を結晶成長させる工程と、を順に繰り返して、n+1層の障壁層とn層の井戸層とを交互に結晶成長させて発光層を形成する、発光層形成工程を含んでおり、発光層形成工程は更に、m番目の障壁層の結晶成長工程の後で且つm番目の井戸層の結晶成長工程の前に第1の成長中断を行う工程と、m番目の井戸層の結晶成長工程の後で且つm+1番目の障壁層の結晶成長工程の前に第2の成長中断を行う工程と、の少なくとも一方を含み、該第1の成長中断は該n+1個の障壁層の各々に関して同じ条件であり、該第2の成長中断は該n個の井戸層の各々に関して同じ条件である。

請求項（抜粋）：

多重量子井戸構造を有する発光層を備える窒素化合物半導体発光素子の製造方法であって、該多重量子井戸構造は、各々が窒素化合物半導体からなり、お互いに実質的に同一の第1の組成及び実質的に同一の第1のバンドギャップエネルギーを有する、n+1層の障壁層と、各々が窒素化合物半導体からなり、お互いに実質的に同一の第2の組成及び実質的に同一の第2のバンドギャップエネルギーを有する、n層の井戸層と、(但し、nは2以上の自然数であり、該第1の組成は該第2の組成とは異なっており、該第2のバンドギャップエネルギーは該第1のバンドギャップエネルギーよりも小さい)を有し、m番目(1≦m≦n)の該井戸層が、m番目の該障壁層とm+1番目の該障壁層との間に隣接して配設されていて、該製造方法は、該m番目の該障壁層を結晶成長させる工程と、該m番目の障壁層の上に該m番目の井戸層を結晶成長させる工程と、該m番目の井戸層の上に該m+1番目の障壁層を結晶成長させる工程と、を順に繰り返して、該n+1層の障壁層と該n層の井戸層とを交互に結晶成長させて該発光層を形成する、発光層形成工程を含んでおり、該発光層形成工程は、更に、該m番目の障壁層の結晶成長工程の後で且つ該m番目の井戸層の結晶成長工程の前に第1の成長中断を行う工程と、該m番目の井戸層の結晶成長工程の後で且つ該m+1番目の障壁層の結晶成長工程の前に第2の成長中断を行う工程と、の少なくとも一方を含み、該第1の成長中断は該n+1個の障壁層の各々に関して同じ条件であり、該第2の成長中断は該n個の井戸層の各々に関して同じ条件である、窒素化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/343

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 5/343

Fターム (53件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA88 , 5F045AA04 , 5F045AA14 , 5F045AA17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045DP03 , 5F045EB15 , 5F045EC02 , 5F045EE04 , 5F045EE12 , 5F045EE18 , 5F045EJ04 , 5F045EJ09 , 5F045EK07 , 5F073AA04 , 5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA23

前のページに戻る