特許

J-GLOBAL ID：200903033340415036

半導体素子およびその製造方法

発明者： 山下 賢哉 ,  北畠 真 ,  楠本 修 ,  高橋 邦方 ,  内田 正雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237183
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053227
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】炭化珪素などの化学的に安定な半導体を用いながら、その半導体層の表面に金属不純物濃度の低い酸化物層を形成する。【解決手段】本発明による半導体素子の製造方法は、ハロゲン族元素を含むガスを用いてワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層12の表面を清浄化する工程(A)と、半導体層12の表面に酸化物層14を形成する工程(B)とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層と、 前記半導体層の表面に形成された酸化物層と、 を備えた半導体素子であって、 前記酸化物層がハロゲン族元素を含む半導体素子。

IPC (7件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/322

FI (9件)：

H01L21/316 S ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 653A ,  H01L27/04 C ,  H01L21/322 X

Fターム (43件)：

5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC06 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF68 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA19 ,  5F140AA29 ,  5F140AB09 ,  5F140AC23 ,  5F140BA02 ,  5F140BA04 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BD09 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140CE03