特許
J-GLOBAL ID:200903033343393823

半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長門 侃二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-020779
公開番号(公開出願番号):特開平10-223981
出願日: 1997年02月03日
公開日(公表日): 1998年08月21日
要約:
【要約】【課題】 電流経路の幅と電界分布領域の幅とを独立に制御することのできる製造の容易な素子構造であって、安定した多モード発振を実現し得る半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 ダブルへテロ構造の活性層を備え、上記活性層よりも禁制帯幅の大きな層中に組成の異なる第1のAlxGa1-xAs層および第2のAlyGa1-yAs層を有してなり、第1のAlxGa1-yAs層を選択酸化して電流経路の幅を規定するAlOz1領域を形成すると共に、第2のAlyGa1-yAs層を選択酸化して電界分布領域の幅を規定するAlOz2領域を形成する。特に各AlGaAs層の組成の違いを利用したAlOz領域の選択酸化により、前記電流経路の幅を、前記電界分布領域の幅よりも狭くしたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
ダブルへテロ構造の活性層を備えた半導体レーザ装置であって、上記活性層よりも禁制帯幅の大きな層中に組成の異なる第1のAlxGa1-xAs層と第2のAlyGa1-yAs層とを有し、前記第1のAlxGa1-xAs層は電流経路の幅を規定するAlOz1領域を備え、前記第2のAlyGa1-yAs層は電界分布領域の幅を規定するAlOz2領域を備えてなり、前記AlOz1領域およびAlOz2領域は、前記第1のAlxGa1-xAs層および第2のAlyGa1-yAs層の選択酸化により形成されるものであって、前記電流経路の幅を、前記電界分布領域の幅よりも狭くしたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件):
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B

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